据介绍，埃安围绕“高功率密度，低发热损耗”两个核心点，持续进行技术迭代开发，积累了一系列创新技术。其中最核心的是三大前瞻技术：全球首个“纳米晶-非晶”超效率电机、首创X-PIN扁线绕组、全球最高900伏碳化硅功率模块。

　　埃安深度介入SiC(碳化硅)产业链建设，自研封装设计，从芯片布局、均流一致性、缩小芯片开关延时、叠层功率回路设计四个方向进行突破，同时结合全银精准低温烧结工艺的革新，使得SiC(碳化硅)模块回路杂感降低50%以上、热阻降低约25%、芯片通流能力提升10%以上、功率循环寿命提升约100%。由此助力夸克电驱实现最高满功率工作电压900伏，峰值功率高达320千瓦以上，最高效率超99.8%，位居行业顶尖水平。

　　事实上，电机功率密度的突破一直以来都是世界级难题。一方面要考虑在体积不变的情况下实现更大的功率输出，这就要求在探索电机的空间极限的同时还通过提升电压的方式提升功率，但电压每提升1伏，都是一个涉及材料、工艺、软件、封装、安全的系统级庞大工程；另一方面要避免高功率输出损耗。此次夸克电驱首次突破“大动力与小体积”不可兼得的矛盾，让埃安的电驱研发进入“纳米时代”，这也是中国新能源汽车行业腾飞的缩影。

　　业界人士表示，夸克电驱不仅仅局限于汽车，还能应用在更多智能生活场景，如在医疗科技领域，可以运用夸克电驱制作动力义肢；无人机领域，夸克电驱技术可大幅提升运载量和续航里程。(完)